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8层


  • 应用:芯片存储
  • 层数:8层
  • HDI结构:3阶HDI
  • 材质:R5775G
  • 厚度:2.0mm
  • 最小铜箔至钻孔边缘间距:0.13mm
  • 最小线宽/线距:0.08/0.075mm
  • 表面处理:ENIG 2u"

分类:

Keyword: 8层

  • 产品描述
    • 商品名称: 8层

    <ul> <li> 应用:芯片存储 </li> <li> 层数:8层 </li> <li> HDI结构:3阶HDI </li> <li> 材质:R5775G </li> <li> 厚度:2.0mm </li> <li> 最小铜箔至钻孔边缘间距:0.13mm </li> <li> 最小线宽/线距:0.08/0.075mm </li> <li> 表面处理:ENIG 2u" </li> </ul>

    • 应用:芯片存储
    • 层数:8层
    • HDI结构:3步HDI
    • 材质:R5775G
    • 厚度:2.0毫米
    • 最小铜箔至钻孔边缘间距:0.13毫米
    • 最小线宽/线距:0.08/0.075毫米
    • 表面处理:ENIG 2u"

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